SK hynix가 West Lafayette의 Purdue Research Park에서 40억달러 이상 규모의 AI 메모리 생산·연구시설 건설을 시작했다. 반도체 오염을 통제하는 클린룸은 2028년 하반기 가동하고, HBM4E 양산은 2029년 3분기에 시작할 계획이다. 시설에는 차세대 HBM 패키징 라인과 AI 반도체 연구개발 공간이 들어선다. 고급 메모리 웨이퍼는 한국에서 제조한 뒤 Indiana로 보내 패키징과 검사를 진행하고 미국 고객에게 공급한다. 회사는 관련 공급망을 포함해 약 7,000개의 직·간접 일자리가 만들어질 것으로 예상한다. 미국 정부는 CHIPS Act를 통해 4억5,800만달러의 보조금과 최대 5억달러의 대출을 확정한 상태다.
SK hynix, 미국 Indiana HBM 생산기지 착공
